Formación de nanoestructuras por crecimiento y ataque químico.

Nuestras investigaciones básicas sobre la formación de nanoestructuras por crecimiento y ataque químico anisótropo incluyen la remoción de material y los efectos de adsorbatos en la superficie (100) del silicio y el crecimiento por electro deposición.El ataque químico es un proceso que se utiliza para configurar la superficie; involucra la remoción de material y la consiguiente alteración de la morfología superficial. Nuestros objetivo consiste en relacionar la morfología resultante, como consecuencia de la deposición y remoción de material y de la presencia de adsorbatos,con los fenómenos que tienen lugar a nivel atómico. La aplicación específica de modelos computacionales constituye una poderosa herramienta a fin de interpretar los ensayos de laboratorio mediante el testeo de diferentes mecanismos y sus posibles efectos.

Detección de gases por medio de películas de óxidos metálicos

Los sensores de gases basados en óxidos semiconductores permiten
monitorear y así controlar gases inflamables o tóxicos en el aire. En particular, los sensores basados en óxido de estaño son ampliamente empleados para detectar concentraciones muy bajas de monóxido de carbono (CO) debido a su alta selectividad y sensibilidad comparada con  otros sensores de gases cerámicos. Dada su toxicidad, la máxima concentración de CO permitida en ambientes de trabajo es de sólo 0.003%. El CO se puede producir en cualquier lugar, basta que exista material combustible, una llama y una mala ventilación, y es inodoro. Calefactores, calefones y estufas, y sus sistemas de evacuación, pueden convertirse en instrumentos letales que se encuentran en nuestros hogares. Por esta razón, concentramos nuestros esfuerzos en la detección de este gas.