Transistor bipolar de juntura, polarización, amplificación lineal, respuesta en frecuencia y
conmutación. Transistor de efecto de campo de juntura y MOSFET polarización, amplificación lineal,
respuesta en frecuencia y conmutación. Amplificador Operacional real. Dispositivos de disparo.
Optoelectrónica.
PROGRAMA ANALÍTICO
Unidad Temática I
FÍSICA DEL SEMICONDUCTOR: Revisión de conceptos básicos de la física del semiconductor:
sólidos cristalinos semiconductores; el proceso de conducción en los semiconductores: conductividad,
arrastre en un campo eléctrico; bandas de energía; efecto Hall.
Unidad Temática II
DIODOS SEMICONDUCTORES:
II.1. Revisión de conceptos básicos de la física de la juntura.
II.2. Efecto túnel. Diodo semiconductor por efecto túnel.
II.3. Diodo inverso.
II.4. Diodo Zener.
II.5. Diodo Schottky.
II.8. Comportamiento eléctrico de los diodos.
Unidad Temática III
FÍSICA DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA Y DEL UNIPOLAR O DE EFECTO DE
CAMPO:
III.1. Física del transistor bipolar de juntura: modelo de Ebers-Moll; características eléctricas;
modos de funcionamiento; efecto Early.
III.2. Control de la conductancia de un canal semiconductor por un campo eléctrico
transversal.
III.3. Transistor de efecto de campo de juntura: principio de funcionamiento; características
eléctricas.
III.4. Transistor de efecto de campo de compuerta aislada: principio de funcionamiento; estructura
MOS; canal inducido; canal preformado; características.
Unidad Temática IV
POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES BIPOLARES Y UNIPOLARES O DE EFECTO DE
CAMPO:
IV.1. Factores que intervienen en la selección de un punto de polarización.
IV.2. Diseño de una red de polarización para un TBJ teniendo en cuenta las variaciones
producidas por efecto de la temperatura y las tolerancias de fabricación.
IV.3. Polarización de transistores unipolares o de efecto de campo.
Unidad Temática V
MODELOS DE SEÑAL DE TRANSISTORES:
V.1. Modelo dinámico para transistores TBJ, MOS y JFET.
V.2. Modelos incrementales para transistores TBJ, JFET y MOS.
V.3. Modelos eléctricos cuadripolares.
V.4. Análisis de circuitos amplificadores con transistores mediante los modelos eléctricos
descriptos.
Unidad Temática VI
RESPUESTA A LAS VARIACIONES DE FRECUENCIA DE LOS CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
CON TRANSISTORES:
VI.1. Respuesta en baja frecuencia.
VI.2. Respuesta en alta frecuencia.
Unidad Temática VII
RESPUESTA DE LOS DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS A LAS CONDICIONES EXTREMAS
DE TRABAJO:
VII.1. Condiciones eléctricas extremas: fenómenos de ruptura por tensión en los transistores:
primera, y segunda ruptura; condiciones límites para la corriente; zona de operación segura.
VII.2. Condiciones térmicas extremas: mecánica de la evacuación del calor: conducción,
convección, radiación; análisis térmico del comportamiento de un dispositivo; fuga térmica;
mecanismos para prevenir la sobreelevación de temperatura: disipadores de calor.
Unidad Temática VIII
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS PARA CONTROL DE POTENCIA:
VIII.1. Diodo de cuatro capas o Schockley.
VIII.2. Diodo de cuatro capas bilateral (DIAC).
VIII.3. Rectificador controlado de silicio (SCR) o tiristor.
VIII.4. Transistor triódico bidireccional (TRIAC).
VIII.5. Transistor monojuntura (UJT) o diodo de doble base: programables, complementarios
y equilibrados.
VIII.6. IGBT.
VIII.6. Otros dispositivos.
Unidad Temática IX.
OPTOELECTRONICA
IX.1. Principios físicos de los dispositivos optoelectrónicos.
IX.2. Dispositivos básicos y aplicaciones.
Unidad Temática X.
AMPLIFICADORES OPERACIONALES.
X.1. Conceptos generales de circuitos integrados analógicos bipolares y MOS.
X.2. Bloques funcionales básicos utilizados en circuitos integrados: Fuentes de corriente,
cargas activas, amplificadores diferenciales, referencias de tensión estabilizadas térmicamente,
configuración Darlington, etapas de salida, otros bloques.
X.3. Estructura interna de un amplificador operacional. Análisis del amplificador
operacional uA741.