UNIDAD TEMÁTICA 1. TEORÍA DE SEMICONDUCTORES.

 

            Semiconductores. Introducción. Estructura cristalina. Ligaduras covalentes del C, Si y Ge. Rotura de las ligaduras. Electrones de conducción y lagunas. Otras partículas libres en el sólido cristalino: fotón, fonón. Impurezas en el sólido cristalino: donores, aceptores, ionización de las impurezas. El proceso de conducción: introducción, movilidad, concentración de portadores en equilibrio, conductividad. Procesos de importancia en semiconductores: inyección de portadores minoritarios, recombinación, difusión.

            Bandas de energía. Introducción. Bandas de energía en el C, Si y Ge. Interpretación de las bandas. Estructura de bandas en un semiconductor extrínseco. Nivel de Fermi.

            Física de las junturas. Juntura PN. La juntura PN en equilibrio. Diagramas de energía. La juntura PN fuera de equilibrio. 

 

 

UNIDAD TEMÁTICA 2. DIODO Y CIRCUITOS RECTIFICADORES.

 

            Diodo. Corrientes en la juntura PN con polarización directa, ecuación del diodo. Corriente de saturación inversa. Distribución de las corrientes. Curvas del diodo real. Recta de carga, punto de polarización y resistencia directa. Diodos especiales: LEDs, Zener.

            Circuitos rectificadores. Requisitos de una fuente de alimentación. El rectificador de media onda. El rectificador de onda completa. El rectificador puente. Generación de armónicos. Filtro de capacitor. Filtro de inductancia. Ripple.

 

 

UNIDAD TEMÁTICA 3. TRANSISTOR BIPOLAR Y DE EFECTO DE CAMPO.

 

            El transistor bipolar. Generalidades. Corrientes en el transistor, eficiencia de emisor, factor de transporte, α, ß. El transistor como amplificador, configuraciones de emisor común, base común y colector común. Curvas de entrada y de salida. Recta de carga, punto de polarización. Análisis gráfico de la configuración en emisor común.

            Transistores de efecto de campo. El transistor de efecto de campo de unión. Características de drenador, características de transferencia, tensión de estrangulamiento, transconductancia. MOSFET de acrecentamiento y de agotamiento. Polarización de FET y MOSFET.

 

 

UNIDAD TEMÁTICA 4. DISPOSITIVOS DE DISPARO.

 

            Tiristores. Propiedades principales. Definiciones. Constitución interna. Símbolos. Representación analógica. Funcionamiento: comportamiento en bloqueo, comportamiento en basculamiento. Características: características estáticas, características de control, características dinámicas.

            Triacs. Propiedades generales. Representación simbólica. Funcionamiento: comportamiento en estado inoperativo, comportamiento en estado biestable. Características: características estáticas, características de control.

 

 

 

UNIDAD TEMÁTICA 5. AMPLIFICADOR OPERACIONAL.

 

            Introducción. El amplificador operacional ideal. Análisis de circuitos con amplificadores operacionales: el comparador, seguidor de tensión, el amplificador inversor, el amplificador no inversor, el amplificador sumador, el amplificador restador, el integrador, el derivador. El amplificador operacional real.

 

 

UNIDAD TEMÁTICA 6. CIRCUITOS DIGITALES COMBINACIONALES.

 

            Compuerta inversora. Compuerta NOR. Compuerta NAND. Compuerta OR exclusiva. Códigos. Codificadores y decodificadores. Multiplexores y demultiplexores. Sumadores.

 

 

UNIDAD TEMÁTICA 7. CIRCUITOS DIGITALES SECUENCIALES.

 

            Flip flop D. Flip flop RS. Flip Flop JK. Registros de desplazamiento. Contadores. Memorias, clasificación y parámetros.

 

UNIDAD TEMÁTICA 8. SENSORES.

 

            Sensores. Introducción. Sensores resistivos. Termorresistencias y termistores. Galgas extensiométricas. Sensores capacitivos. Sensores inductivos. Sensores de presión. Sensores electromagnéticos. Termocuplas. Sensores fotoeléctricos.Sensores piezoeléctricos. Detectores infrarrojos. Sensores de ultrasonido. Detectores de fuego y humo. Transductores digitales.